BC电池行业具备良好发展前景

IBC(InterdigitatedBackContact)太阳电池，即交叉背接触太阳电池。该结构电池于1975年由Schwartz和Lammert提出，是一种将太阳电池的发射极、背场、基区、发射极电极和背场电极均设计在电池背表面的高效率硅基太阳电池。IBC电池将栅线做到背面，避免金属栅线电极对太阳光线的遮挡，能够最大限度地利用入射光，减少光学损失。

IBC电池的前表面为碱制绒形成的随机金字塔结构，并采用磷源低浓度掺杂形成n前表面场。电池的前表面沉积由SiO2和PECVD制备的SiNx叠层钝化减反膜；电池的背面沉积SiO2，同时钝化n*背场、n型基区和p*发射极。电池背面p区和n*区由未进行重掺杂的基区分隔开来。使用光刻或化学刻蚀工艺，使金属电极在电池背面呈叉指状排列。

IBC电池可与PERC、TOPCon和HJT电池结构结合，形成多样化晶硅电池结构。IBC技术作为平台型技术，可与P型、HJT、TOPCon等技术结合，形成HPBC、HBC、TBC等电池结构。HBC电池可以发挥IBC电池高短路电流和HJT电池高开路电压优势，更好的提高转换效率。2014年，夏普公司利用光刻技术将HJT电池结构与IBC电池结构相结合，制造出HBC电池。该电池结构实现正面与硅基底接触层为本征的非晶硅薄层，上层覆盖n型掺杂的非晶硅层作为前表面场，在前场覆盖SiNx减反射层以及背面在硅基底上先后沉积i-α-Si:H/p-a-Si:H、i-α-Si:H/n-a-Si:H，并且呈交指式结构，最后用真空蒸发和光刻法制备电极。

TBC电池是TOPCon与IBC技术结合形成的电池，也被称为POLO-IBC电池。多晶硅氧化物选择钝化接触技术是通过生长SiO2和沉积本征多晶硅，并通过高温退火使正背面的SiO2钝化薄层形成局部微孔，通过微孔和隧穿特性实现电流导通。TBC电池能在不损失电流的基础上提高钝化效果和开路电压，获得更高的光电转换效率。TBC可使用N型晶硅基底或者P型晶硅基底，具有稳定性好、选择性钝化接触优异以及与IBC技术兼容性高等优势，技术难点主要集中在背面电极隔离、多晶硅钝化质量的均匀性以及与IBC工艺路线的集成等。

IBC电池具备更高的转换效率，潜在优势明显。IBC电池具有以下优势：一是IBC电池将前电极转移到电池背面，使电池前表面无电极遮挡，从而电池的短路电流密度提高4-8%；二是电极排布在电池背面，可使金属化面积增大，减少串联电阻损失，提高填充因子；三是IBC电池在前表面钝化和光学性能方面的优化都更加灵活，无需受限于前表面的接触电阻与复合问题；四是受益于全背面电极设计，简化电池组件封装焊接，提高了产出率。